IXTY4N65X2

IXTY4N65X2 IXYS Транзисторы — FET, MOSFET: Детали продукта, Применение и Сравнение

Ищете подлинные транзисторы IXYS — FET, MOSFET, такие как IXTY4N65X2? Мы предлагаем проверенные оригинальные транзисторы IXYS — FET, MOSFET для удовлетворения ваших потребностей в электронных схемах.

Описание продукта и основные характеристики IXTY4N65X2

IXTY4N65X2 представляет собой высокопроизводительный N-канальный MOSFET транзистор от IXYS, разработанный для приложений, требующих высокой скорости переключения и низкого сопротивления открытого канала. Его ключевые характеристики включают напряжение сток-исток (Vds) 650 В, ток стока (Id) 4 А и низкое сопротивление канала (Rds(on)) для минимизации потерь мощности. Корпус TO-247 обеспечивает отличный теплоотвод, что критически важно для надежной работы в мощных схемах.

Типичные области применения IXTY4N65X2

Этот транзистор находит широкое применение в импульсных источниках питания (SMPS), преобразователях постоянного тока, схемах коррекции коэффициента мощности (PFC) и в качестве высокочастотного коммутатора. Его способность работать при высоких напряжениях делает его идеальным выбором для телекоммуникационного оборудования, промышленных систем управления и потребительской электроники.

Как IXTY4N65X2 сравнивается с аналогичными транзисторами

По сравнению с другими MOSFET транзисторами в своем классе, IXTY4N65X2 выделяется оптимальным балансом между высокой прочностью по напряжению и низким энергопотреблением. Инженеры часто выбирают его за его надежность и предсказуемую производительность, что упрощает проектирование и снижает затраты на разработку.

Использование транзисторов IXYS, таких как IXTY4N65X2, гарантирует стабильную работу и долгий срок службы ваших электронных систем.

Трудно найти IXTY4N65X2 ?

Компания ICHOME обеспечивает комплексный поиск спецификаций, начиная с анализа рисков компонентов (EOL, solo-source и т.д.), предложений по замене, поддержки проектирования и поставки всех компонентов спецификации.

Свяжитесь с нами →