IXTT30N50L2

IXTT30N50L2: Подробные сведения, области применения и сравнение транзисторов IXYS

Ищете оригинальные транзисторы IXYS, такие как IXTT30N50L2? Мы предлагаем проверенные подлинные транзисторы IXYS, FETs, MOSFETs, которые поддержат ваши электронные схемы.

Описание продукта и основные характеристики

IXTT30N50L2 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET от IXYS, разработанный для требовательных применений. Он обладает напряжением пробоя 500 В и током стока 30 А, что обеспечивает отличную производительность в условиях высокой мощности. Низкое сопротивление канала (Rds(on)) и быстрое время переключения делают его идеальным выбором для эффективных преобразователей и схем управления.

Типичные области применения IXTT30N50L2

Этот транзистор находит широкое применение в источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления двигателями. Его надежность и способность работать при высоких напряжениях и токах делают его незаменимым компонентом в промышленной электронике.

Сравнение IXTT30N50L2 с аналогичными транзисторами

По сравнению с другими MOSFET, IXTT30N50L2 выделяется оптимальным балансом между напряжением пробоя, током и сопротивлением в открытом состоянии. Инженеры и специалисты по закупкам оценят его надежность и долговечность, что гарантирует стабильную работу электронных систем.

Использование транзисторов IXYS, таких как IXTT30N50L2, гарантирует стабильную производительность и долгий срок службы ваших электронных систем.

Трудно найти IXTT30N50L2 ?

Компания ICHOME обеспечивает комплексный поиск спецификаций, начиная с анализа рисков компонентов (EOL, solo-source и т.д.), предложений по замене, поддержки проектирования и поставки всех компонентов спецификации.

Свяжитесь с нами →