IXTT170N10P: Детальное описание, Применение и Сравнение Транзисторов IXYS
Ищете подлинные транзисторы IXYS — FET, MOSFET, такие как IXTT170N10P? Мы предлагаем проверенные оригинальные транзисторы IXYS, соответствующие вашим требованиям к электронным схемам.
Описание продукта и основные характеристики
Ask for a Quote – Fast Response Guaranteed! ICHOME
IXTT170N10P — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор от IXYS, разработанный для высокопроизводительных приложений. Он отличается низким сопротивлением открытого канала (Rds(on)), что минимизирует потери мощности и повышает эффективность. Высокий ток утечки и максимальное напряжение стока-истока делают его идеальным для требовательных схем.
Типичные области применения IXTT170N10P
Этот транзистор находит широкое применение в импульсных источниках питания, преобразователях DC-DC, схемах управления двигателями и аудиоусилителях. Его способность обрабатывать значительные токи и напряжения обеспечивает надежную работу в этих сферах.
Сравнение IXTT170N10P с аналогичными транзисторами
При выборе транзистора важно учитывать его ключевые параметры. IXTT170N10P выделяется своим балансом между Rds(on), максимальным напряжением и током, предлагая отличное решение для многих инженерных задач.
Использование транзисторов IXYS, таких как IXTT170N10P, гарантирует стабильную производительность и долгий срок службы ваших электронных систем.
Трудно найти IXTT170N10P ?
Компания ICHOME обеспечивает комплексный поиск спецификаций, начиная с анализа рисков компонентов (EOL, solo-source и т.д.), предложений по замене, поддержки проектирования и поставки всех компонентов спецификации.
Свяжитесь с нами →
