IXFT14N80P: Детали, Применение и Сравнение Транзисторов IXYS FETs, MOSFETs
Ищете подлинные транзисторы IXYS FETs, MOSFETs, такие как IXFT14N80P? Мы предлагаем проверенные оригинальные транзисторы IXYS FETs, MOSFETs для ваших электронных схем.
Описание Продукта и Ключевые Характеристики
IXFT14N80P — это высокопроизводительный N-канальный MOSFET от IXYS, разработанный для требовательных применений. Он отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (Rds(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его идеальным выбором для силовых цепей. Максимальное напряжение сток-исток (Vds) составляет 800 В, а непрерывный ток стока (Id) — 14 А. Корпус TO-247 обеспечивает эффективный отвод тепла.
Типичные Сферы Применения IXFT14N80P
Благодаря своим характеристикам, IXFT14N80P находит применение в импульсных источниках питания (SMPS), преобразователях постоянного тока, схемах управления двигателями и в системах, где требуется высокое напряжение и эффективное переключение. Его надежность делает его востребованным в промышленном оборудовании.
Сравнение с Аналогичными Транзисторами FETs, MOSFETs
Ask for a Quote – Fast Response Guaranteed! ICHOME
IXFT14N80P выделяется среди аналогов своей комбинацией высокого напряжения пробоя и низкого Rds(on). При сравнении с другими MOSFETs на 800 В, этот транзистор часто предлагает более выгодное соотношение цены и производительности, особенно для приложений, требующих значительного тока.
Использование транзисторов IXYS FETs, MOSFETs, таких как IXFT14N80P, гарантирует стабильную работу и долгий срок службы ваших электронных систем.
Трудно найти IXFT14N80P ?
Компания ICHOME обеспечивает комплексный поиск спецификаций, начиная с анализа рисков компонентов (EOL, solo-source и т.д.), предложений по замене, поддержки проектирования и поставки всех компонентов спецификации.
Свяжитесь с нами →
