IXFN230N20T IXYS Транзисторы — FET, MOSFET: Детали продукта, Применение и Сравнение
Ищете оригинальные транзисторы IXYS — FET, MOSFET, такие как IXFN230N20T? Мы предлагаем проверенные подлинные транзисторы IXYS — FET, MOSFET для ваших электронных схем.
Описание продукта и основные характеристики
Ask for a Quote – Fast Response Guaranteed! ICHOME
IXFN230N20T — это мощный N-канальный MOSFET транзистор от IXYS, разработанный для высокопроизводительных приложений. Он отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (Rds(on)) и высокой импульсной мощностью, что делает его идеальным выбором для задач, требующих эффективного управления энергией. Рабочее напряжение 200 В и ток до 115 А позволяют использовать его в преобразователях, источниках питания и системах управления двигателями.
Типичные области применения IXFN230N20T
Этот транзистор прекрасно подходит для широкого спектра применений. Он может использоваться в импульсных источниках питания (SMPS), где требуется высокая эффективность и надежность. Также он находит применение в системах управления электродвигателями, инверторах, а также в схемах защиты от перегрузки по току. Благодаря своим характеристикам, IXFN230N20T может заменить несколько компонентов меньшей мощности, упрощая схему и снижая затраты.
Сравнение IXFN230N20T с аналогичными транзисторами
По сравнению с другими MOSFET транзисторами в своем классе, IXFN230N20T выделяется сочетанием высокой мощности, низкого Rds(on) и надежности бренда IXYS. При выборе аналогичных компонентов важно учитывать не только основные параметры, но и тепловые характеристики, а также качество исполнения. IXFN230N20T предлагает сбалансированное решение для многих требовательных задач.
Использование транзисторов IXYS, таких как IXFN230N20T, гарантирует стабильную работу и долгий срок службы ваших электронных систем.



























